IPT65R190CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
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Technische Details IPT65R190CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 8HSOF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V.
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IPT65R190CFD7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V |
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| IPT65R190CFD7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005537513 |
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IPT65R190CFD7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
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