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IPSA70R360P7SAKMA1

IPSA70R360P7SAKMA1 Infineon Technologies

2350132300894490infineon-ipsa70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
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Technische Details IPSA70R360P7SAKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPSA70R360P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 3 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59.5W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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IPSA70R360P7SAKMA1 IPSA70R360P7SAKMA1 Hersteller : Infineon Technologies 2350132300894490infineon-ipsa70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
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IPSA70R360P7SAKMA1 IPSA70R360P7SAKMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPSA70R360P7S_DS_v02_01_EN-1731915.pdf MOSFET CONSUMER
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IPSA70R360P7SAKMA1 IPSA70R360P7SAKMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPSA70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f4d9317af1383 Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
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IPSA70R360P7SAKMA1 IPSA70R360P7SAKMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0004583969-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPSA70R360P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 3 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IPSA70R360P7SAKMA1 Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-IPSA70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f4d9317af1383 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPSA70R360P7SAKMA1 - IPSA70R360 COOLMOS, 700V SUPER JUNCTION
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 206 Stücke:
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IPSA70R360P7SAKMA1 IPSA70R360P7SAKMA1 Hersteller : Infineon Technologies 2350132300894490infineon-ipsa70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
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IPSA70R360P7SAKMA1 IPSA70R360P7SAKMA1 Hersteller : Infineon Technologies 2350132300894490infineon-ipsa70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
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IPSA70R360P7SAKMA1 IPSA70R360P7SAKMA1 Hersteller : Infineon Technologies 2350132300894490infineon-ipsa70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
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IPSA70R360P7SAKMA1 IPSA70R360P7SAKMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPSA70R360P7S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; IPAK SL
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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