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Technische Details IPSA70R2K0P7SAKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPSA70R2K0P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 17.6W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPSA70R2K0P7SAKMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPSA70R2K0P7SAKMA1 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPSA70R2K0P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, TO-251, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 17.6W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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| IPSA70R2K0P7SAKMA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPSA70R2K0P7SAKMA1 - IPSA70R2K0P7S - CONSUMER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPSA70R2K0P7SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
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IPSA70R2K0P7SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 3A TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 17.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TO251-3-347 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V |
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