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IPSA70R1K4P7SAKMA1

IPSA70R1K4P7SAKMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPSA70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f4d49d8871342 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
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Technische Details IPSA70R1K4P7SAKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPSA70R1K4P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 22.7W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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IPSA70R1K4P7SAKMA1 IPSA70R1K4P7SAKMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPSA70R1K4P7S-DS-v02_01-EN-1275038.pdf MOSFET CONSUMER
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IPSA70R1K4P7SAKMA1 IPSA70R1K4P7SAKMA1 Hersteller : INFINEON 2577432.pdf Description: INFINEON - IPSA70R1K4P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
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MSL: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IPSA70R1K4P7SAKMA1 IPSA70R1K4P7SAKMA1 Hersteller : Infineon Technologies 2358178155668054infineon-ipsa70r1k4p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
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IPSA70R1K4P7SAKMA1 Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-IPSA70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f4d49d8871342 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPSA70R1K4P7SAKMA1 - IPSA70R1K4 650V AND 700V COOLMOS N-CHAN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPSA70R1K4P7SAKMA1 IPSA70R1K4P7SAKMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPSA70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f4d49d8871342 Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
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