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Technische Details IPS60R360PFD7SAKMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V.
Weitere Produktangebote IPS60R360PFD7SAKMA1 nach Preis ab 2.6 EUR bis 2.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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| IPS60R360PFD7SAKMA1 | Hersteller : Infineon |
 Mosfet, N-Ch, 600V, 10A IPS60R360PFD7SAKMA1 IPS60R360PFD7S TIPS60r360pfd7sAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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| IPS60R360PFD7SAKMA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPS60R360PFD7SAKMA1 - IPS60R360PFD7S 600V COOLMOS PFD7 SUPERJ tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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| IPS60R360PFD7SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP003965460 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPS60R360PFD7SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPS60R360PFD7SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPS60R360PFD7SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V |
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