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Technische Details IPP77N06S212AKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP77N06S212AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 77 A, 0.0098 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55, Dauer-Drainstrom Id: 77, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 158, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, Verlustleistung: 158, Bauform - Transistor: TO-220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: OptiMOS, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote IPP77N06S212AKSA2 nach Preis ab 2.77 EUR bis 4.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPP77N06S212AKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V |
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IPP77N06S212AKSA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP77N06S212AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 77 A, 0.0098 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 77 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 158 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 158 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: OptiMOS Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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IPP77N06S212AKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 77A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP77N06S212AKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 77A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP77N06S212AKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 77A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP77N06S212AKSA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 158W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 56A Power dissipation: 158W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPP77N06S212AKSA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 158W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 56A Power dissipation: 158W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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