IPP65R190CFD7XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPP65R190CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP65R190CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.161 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.161ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPP65R190CFD7XKSA1 nach Preis ab 1.94 EUR bis 4.47 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IPP65R190CFD7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP65R190CFD7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
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IPP65R190CFD7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V |
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IPP65R190CFD7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP65R190CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.161 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.161ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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| IPP65R190CFD7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005413377 |
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IPP65R190CFD7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP65R190CFD7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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