IPP60R360P7XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPP60R360P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 9, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 41, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: CoolMOS P7, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.305, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote IPP60R360P7XKSA1 nach Preis ab 1.07 EUR bis 5.68 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IPP60R360P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP60R360P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP60R360P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP60R360P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R360P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
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IPP60R360P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V |
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IPP60R360P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R360P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R360P7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 9 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 41 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 41 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: CoolMOS P7 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.305 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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IPP60R360P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP60R360P7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Power dissipation: 41W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPP60R360P7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Power dissipation: 41W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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