IPP60R190P6XKSA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 53+ | 2.87 EUR |
| 55+ | 2.66 EUR |
| 100+ | 2.48 EUR |
| 250+ | 2.31 EUR |
| 500+ | 2.16 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPP60R190P6XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP60R190P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 151W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPP60R190P6XKSA1 nach Preis ab 2.04 EUR bis 5.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP60R190P6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 398 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP60R190P6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 398 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP60R190P6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IPP60R190P6XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP60R190P6XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP60R190P6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP60R190P6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IPP60R190P6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IPP60R190P6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V |
auf Bestellung 6730 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IPP60R190P6XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R190P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 151W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
 |
IPP60R190P6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
IPP60R190P6XKSA1 Produktcode: 155590 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||
|
|
IPP60R190P6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |