Weitere Produktangebote IPP60R080P7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IPP60R080P7 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A Power dissipation: 129W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPP60R080P7 | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW |
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IPP60R080P7 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A Power dissipation: 129W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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