IPP600N25N3GXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPP600N25N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP600N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.051 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm.
Weitere Produktangebote IPP600N25N3GXKSA1 nach Preis ab 1.82 EUR bis 5.83 EUR
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IPP600N25N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP600N25N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP600N25N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 25A Power dissipation: 136W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPP600N25N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 25A Power dissipation: 136W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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IPP600N25N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 250V 25A TO220-3 OptiMOS 3 |
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IPP600N25N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP600N25N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V |
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IPP600N25N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP600N25N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP600N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.051 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm |
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IPP600N25N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP600N25N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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