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IPP320N20N3GXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPP320N20N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP320N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPP320N20N3GXKSA1 nach Preis ab 1.76 EUR bis 6.99 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IPP320N20N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPP320N20N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPP320N20N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPP320N20N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPP320N20N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V |
auf Bestellung 5109 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP320N20N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPP320N20N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 929 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP320N20N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO220-3 Case: PG-TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 136W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 200V Drain current: 34A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPP320N20N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPP320N20N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPP320N20N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO220-3 Case: PG-TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 136W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 200V Drain current: 34A |
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