IPP147N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 56A
On-state resistance: 14.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 39+ | 1.84 EUR |
| 45+ | 1.62 EUR |
| 49+ | 1.47 EUR |
| 51+ | 1.42 EUR |
| 54+ | 1.33 EUR |
| 250+ | 1.29 EUR |
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Technische Details IPP147N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IPP147N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 41 A, 0.0126 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 41A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPP147N12N3GXKSA1 nach Preis ab 1.29 EUR bis 3.1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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IPP147N12N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3 Mounting: THT Case: PG-TO220-3 Kind of package: tube Drain-source voltage: 120V Drain current: 56A On-state resistance: 14.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 107W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
auf Bestellung 467 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP147N12N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V |
auf Bestellung 17768 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP147N12N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP147N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 41 A, 0.0126 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1002 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP147N12N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 56A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP147N12N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 56A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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