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IPP12CN10LGXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPP12CN10LGXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP12CN10LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 69 A, 0.0099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 69A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.84V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0099ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IPP12CN10LGXKSA1 nach Preis ab 1.05 EUR bis 3.94 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPP12CN10LGXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.84V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0099ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IPP12CN10LGXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; 125W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 69A Power dissipation: 125W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
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IPP12CN10LGXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; 125W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 69A Power dissipation: 125W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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