![IPP076N15N5AKSA1 IPP076N15N5AKSA1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/ba8ed22db0cd875f0395173bb930afe419063993/600v_p7_to220.png_1751746605.jpg)
IPP076N15N5AKSA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
27+ | 5.67 EUR |
30+ | 4.8 EUR |
100+ | 4.22 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPP076N15N5AKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 0.0059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 112A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPP076N15N5AKSA1 nach Preis ab 3.33 EUR bis 8.75 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP076N15N5AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP076N15N5AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 2517 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP076N15N5AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 56A, 10 Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V |
auf Bestellung 602 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP076N15N5AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 642 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP076N15N5AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 1833 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
![]() |
IPP076N15N5AKSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 112A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
![]() |
IPP076N15N5AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
![]() |
IPP076N15N5AKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 79A; 214W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 79A Power dissipation: 214W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 49nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
![]() |
IPP076N15N5AKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 79A; 214W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 79A Power dissipation: 214W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 49nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |