![IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4843/448_TO-220-3.jpg)
IPP075N15N3GXKSA1 Infineon Technologies
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Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
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50+ | 5.68 EUR |
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500+ | 4.33 EUR |
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Technische Details IPP075N15N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP075N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0062 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPP075N15N3GXKSA1 nach Preis ab 3.31 EUR bis 10.32 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IPP075N15N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPP075N15N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IPP075N15N3GXKSA1 Produktcode: 122947 |
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IPP075N15N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 150V Drain current: 100A On-state resistance: 7.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO220-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPP075N15N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 150V Drain current: 100A On-state resistance: 7.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO220-3 |
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