IPP052NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPP052NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP052NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPP052NE7N3GXKSA1 nach Preis ab 2.04 EUR bis 4.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPP052NE7N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP052NE7N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP052NE7N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V |
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IPP052NE7N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP052NE7N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP052NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IPP052NE7N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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| IPP052NE7N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP052NE7N3GXKSA1 THT N channel transistors |
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IPP052NE7N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP052NE7N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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