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IPP039N04LGXKSA1

IPP039N04LGXKSA1 Infineon Technologies

404ipb039n04l_rev1.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP039N04LGXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP039N04LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0031 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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IPP039N04LGXKSA1 IPP039N04LGXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 404ipb039n04l_rev1.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP039N04LGXKSA1 IPP039N04LGXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IPB039N04L_rev1.2.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f14ac947132 Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
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IPP039N04LGXKSA1 IPP039N04LGXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPP039N04LG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP039N04LGXKSA1 IPP039N04LGXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPP039N04LG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
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IPP039N04LGXKSA1 IPP039N04LGXKSA1 Hersteller : INFINEON IPB039N04L_rev1.2.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f14ac947132 Description: INFINEON - IPP039N04LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0031 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1782 Stücke:
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IPP039N04LGXKSA1
Produktcode: 202351 		IPB039N04L_rev1.2.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f14ac947132 Transistoren > MOSFET N-CH
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IPP039N04LGXKSA1 IPP039N04LGXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IPB039N04L_rev1_2-1122169.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
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