IPP037N06L3GXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPP037N06L3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP037N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 167W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IPP037N06L3GXKSA1 nach Preis ab 0.93 EUR bis 2.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IPP037N06L3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP037N06L3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP037N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 167W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IPP037N06L3GXKSA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP037N06L3GXKSA1 - IPP037N06 - 90A, 60V, N-CHANNEL, MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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IPP037N06L3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP037N06L3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP037N06L3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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| IPP037N06L3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP037N06L3GXKSA1 THT N channel transistors |
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IPP037N06L3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V |
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IPP037N06L3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
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