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IPP032N06N3GXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPP032N06N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 188W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V.
Weitere Produktangebote IPP032N06N3GXKSA1 nach Preis ab 1.34 EUR bis 23.66 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPP032N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPP032N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPP032N06N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3 Kind of package: tube Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A On-state resistance: 3.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 188W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: PG-TO220-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPP032N06N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3 Kind of package: tube Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A On-state resistance: 3.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 188W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: PG-TO220-3 |
auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP032N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPP032N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPP032N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V |
auf Bestellung 2314 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP032N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPP032N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IPP032N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon |
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IPP032N06N3GXKSA1 Produktcode: 192070 |
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