IPP019N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPP019N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP019N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 191 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 191A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPP019N08NF2SAKMA1 nach Preis ab 1.25 EUR bis 6.02 EUR
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IPP019N08NF2SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP019N08NF2SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP019N08NF2SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP019N08NF2SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP019N08NF2SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP019N08NF2SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
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IPP019N08NF2SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 191A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V |
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IPP019N08NF2SAKMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP019N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 191 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 191A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1863 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP019N08NF2SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 32A Tube |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP019N08NF2SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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| IPP019N08NF2SAKMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W Case: PG-TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed drain current: 764A Drain-source voltage: 80V Drain current: 147A On-state resistance: 1.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Gate charge: 124nC Technology: StrongIRFET™ 2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| IPP019N08NF2SAKMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W Case: PG-TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed drain current: 764A Drain-source voltage: 80V Drain current: 147A On-state resistance: 1.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Gate charge: 124nC Technology: StrongIRFET™ 2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
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