IPP018N10N5XKSA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
500+ | 5.83 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPP018N10N5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP018N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 205A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPP018N10N5XKSA1 nach Preis ab 5.1 EUR bis 11.25 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPP018N10N5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V |
auf Bestellung 396 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||
IPP018N10N5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFETs Y |
auf Bestellung 326 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||
IPP018N10N5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||
IPP018N10N5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP018N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 205A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 798 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||
IPP018N10N5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||
IPP018N10N5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |