IPN80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
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Technische Details IPN80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm.
Weitere Produktangebote IPN80R1K2P7ATMA1 nach Preis ab 0.67 EUR bis 1.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IPN80R1K2P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V |
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IPN80R1K2P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
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IPN80R1K2P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN80R1K2P7ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm |
auf Bestellung 2665 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN80R1K2P7ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm |
auf Bestellung 2665 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPN80R1K2P7 Produktcode: 144481 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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IPN80R1K2P7 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_NEW |
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IPN80R1K2P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
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IPN80R1K2P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
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IPN80R1K2P7ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223 Power dissipation: 6.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 11nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.1A On-state resistance: 1.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPN80R1K2P7ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223 Power dissipation: 6.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 11nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.1A On-state resistance: 1.2Ω Type of transistor: N-MOSFET |
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