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IPLK70R900P7ATMA1

IPLK70R900P7ATMA1 INFINEON


3629116.pdf Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK70R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.7 A, 0.74 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32.1W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3980 Stücke:

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Technische Details IPLK70R900P7ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPLK70R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.7 A, 0.74 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 32.1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32.1W, Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: CoolMOS P7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.74ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Preis ohne MwSt
IPLK70R900P7ATMA1 IPLK70R900P7ATMA1 Hersteller : INFINEON 3629116.pdf Description: INFINEON - IPLK70R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.7 A, 0.74 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IPLK70R900P7ATMA1 IPLK70R900P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPLK70R900P7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7cdc391c017ce0bd2c1b2d5f Description: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
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IPLK70R900P7ATMA1 IPLK70R900P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPLK70R900P7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7cdc391c017ce0bd2c1b2d5f Description: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
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IPLK70R900P7ATMA1 IPLK70R900P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPLK70R900P7_DataSheet_v02_00_EN-3362434.pdf MOSFETs N
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