IPLK70R600P7ATMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK70R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.4 A, 0.49 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46.3W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPLK70R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.4 A, 0.49 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 46.3W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details IPLK70R600P7ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPLK70R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.4 A, 0.49 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 46.3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46.3W, Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IPLK70R600P7ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPLK70R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.4 A, 0.49 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 46.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 46.3W Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 4481 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPLK70R600P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | SP001813340 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPLK70R600P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPLK70R600P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V |
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IPLK70R600P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFETs N |
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