Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPLK70R2K0P7ATMA1

IPLK70R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies

Name: IPLK70R2K0P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 3772727-4
Price: 0.54 EUR
Availability: InStock

Infineon_IPLK70R2K0P7_DataSheet_v02_00_EN-3362511.pdf

Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N

auf Bestellung 38 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
3+	1.36 EUR
10+	1.13 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.6 EUR
2500+	0.57 EUR
5000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Produktrezensionen

Produktbewertung abgeben

Technische Details IPLK70R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPLK70R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.1 A, 1.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 21.2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 21.2W, Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote IPLK70R2K0P7ATMA1

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis ohne MwSt
	IPLK70R2K0P7ATMA1	Hersteller : INFINEON	Description: INFINEON - IPLK70R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.1 A, 1.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 21.2W Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)
	IPLK70R2K0P7ATMA1	Hersteller : INFINEON	Description: INFINEON - IPLK70R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.1 A, 1.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 21.2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 21.2W Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)