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IPL65R230C7AUMA1

IPL65R230C7AUMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPL65R230C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e798fa6d80332 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
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Technische Details IPL65R230C7AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPL65R230C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.204 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 2A - 4 Wochen, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 67W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 5Pins, Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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IPL65R230C7AUMA1 IPL65R230C7AUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPL65R230C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e798fa6d80332 Description: MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
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IPL65R230C7AUMA1 IPL65R230C7AUMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0003614958-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPL65R230C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.204 ohm, VSON, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
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Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: CoolMOS C7
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPL65R230C7AUMA1 IPL65R230C7AUMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0003614958-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPL65R230C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.204 ohm, VSON, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 55 Stücke:
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IPL65R230C7AUMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R230C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e798fa6d80332 IPL65R230C7AUMA1 SMD N channel transistors
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