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Technische Details IPL60R125P7AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPL60R125P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 111W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPL60R125P7AUMA1 nach Preis ab 2.22 EUR bis 4.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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IPL60R125P7AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 600V 27A 4VSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 111W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V |
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IPL60R125P7AUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPL60R125P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 111W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IPL60R125P7AUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPL60R125P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 111W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IPL60R125P7AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 27A 4-Pin VSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPL60R125P7AUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; 111W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 17A Power dissipation: 111W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPL60R125P7AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 27A 4VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 111W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V |
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IPL60R125P7AUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; 111W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 17A Power dissipation: 111W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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