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IPL60R095CFD7AUMA1

IPL60R095CFD7AUMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPL60R095CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01633f96542e4f53 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V
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Technische Details IPL60R095CFD7AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPL60R095CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.076 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 147W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IPL60R095CFD7AUMA1 IPL60R095CFD7AUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPL60R095CFD7-DS-v02_00-EN-1391274.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
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IPL60R095CFD7AUMA1 IPL60R095CFD7AUMA1 Hersteller : INFINEON 2643872.pdf Description: INFINEON - IPL60R095CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.076 ohm, VSON, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 10 Stücke:
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IPL60R095CFD7AUMA1 IPL60R095CFD7AUMA1 Hersteller : INFINEON 2643872.pdf Description: INFINEON - IPL60R095CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.076 ohm, VSON, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IPL60R095CFD7AUMA1 IPL60R095CFD7AUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPL60R095CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01633f96542e4f53 Description: MOSFET N CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V
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