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IPL60R065P7AUMA1

IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPL60R065P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebece9815b36 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 41A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
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Technische Details IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPL60R065P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.053 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 41A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 201W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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IPL60R065P7AUMA1 IPL60R065P7AUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPL60R065P7_DS_v02_01_EN-3362581.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
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IPL60R065P7AUMA1 IPL60R065P7AUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPL60R065P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebece9815b36 Description: MOSFET N-CH 600V 41A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
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IPL60R065P7AUMA1 IPL60R065P7AUMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0003685283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPL60R065P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.053 ohm, VSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 41A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
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Verlustleistung: 201W
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Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IPL60R065P7AUMA1 IPL60R065P7AUMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0003685283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPL60R065P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.053 ohm, VSON, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IPL60R065P7AUMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL60R065P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebece9815b36 IPL60R065P7 SMD N channel transistors
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IPL60R065P7AUMA1 IPL60R065P7AUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipl60r065p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R
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IPL60R065P7AUMA1 IPL60R065P7AUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipl60r065p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R
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