IPG20N04S408AATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4071 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 7+ | 2.83 EUR |
| 10+ | 2.35 EUR |
| 100+ | 1.87 EUR |
| 500+ | 1.58 EUR |
| 1000+ | 1.34 EUR |
| 2000+ | 1.28 EUR |
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Technische Details IPG20N04S408AATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPG20N04S408AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.007 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 65W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 65W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote IPG20N04S408AATMA1 nach Preis ab 2.71 EUR bis 3.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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IPG20N04S408AATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET |
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IPG20N04S408AATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPG20N04S408AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.007 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 4366 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPG20N04S408AATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPG20N04S408AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.007 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 4366 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPG20N04S408AATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPG20N04S408AATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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