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IPD90P03P4L04ATMA2

IPD90P03P4L04ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD90P03P4L-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details IPD90P03P4L04ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD90P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 137W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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IPD90P03P4L04ATMA2 IPD90P03P4L04ATMA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD90P03P4L-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4 Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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10+ 2.82 EUR
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IPD90P03P4L04ATMA2 IPD90P03P4L04ATMA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPD90P03P4L_04_DataSheet_v01_01_EN-3362509.pdf MOSFETs N
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100+ 2.34 EUR
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500+ 1.97 EUR
1000+ 1.69 EUR
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IPD90P03P4L04ATMA2 IPD90P03P4L04ATMA2 Hersteller : INFINEON Infineon-IPD90P03P4L-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4 Description: INFINEON - IPD90P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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IPD90P03P4L04ATMA2 IPD90P03P4L04ATMA2 Hersteller : INFINEON Infineon-IPD90P03P4L-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4 Description: INFINEON - IPD90P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Produktpalette: OptiMOS-P2
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IPD90P03P4L04ATMA2 Hersteller : Infineon Infineon-IPD90P03P4L-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IPD90P03P4L04ATMA2 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipd90p03p4l-04-datasheet-v01_01-en.pdf 60F1-20-22-1-ZB-B
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