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IPD90P03P404ATMA2

IPD90P03P404ATMA2 Infineon Technologies


Infineon-IPD90P03P4-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ecafdb27ed Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details IPD90P03P404ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD90P03P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 137W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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IPD90P03P404ATMA2 IPD90P03P404ATMA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPD90P03P4_04_DataSheet_v01_01_EN-3132763.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
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IPD90P03P404ATMA2 IPD90P03P404ATMA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD90P03P4-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ecafdb27ed Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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IPD90P03P404ATMA2 IPD90P03P404ATMA2 Hersteller : INFINEON Infineon-IPD90P03P4-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ecafdb27ed Description: INFINEON - IPD90P03P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1721 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPD90P03P404ATMA2 IPD90P03P404ATMA2 Hersteller : INFINEON Infineon-IPD90P03P4-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ecafdb27ed Description: INFINEON - IPD90P03P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IPD90P03P404ATMA2 IPD90P03P404ATMA2 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipd90p03p4-04-datasheet-v01_01-en.pdf Power MOSFET Transistor
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