IPD90N03S4L02ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 2500+ | 1.7 EUR |
| 5000+ | 1.64 EUR |
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Technische Details IPD90N03S4L02ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD90N03S4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPD90N03S4L02ATMA1 nach Preis ab 1.64 EUR bis 3.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IPD90N03S4L02ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90N03S4L02ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90N03S4L02ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2 |
auf Bestellung 1484 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD90N03S4L02ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V |
auf Bestellung 54828 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD90N03S4L02ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD90N03S4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 11868 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90N03S4L02ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90N03S4L02ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD90N03S4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 11868 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90N03S4L02ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPD90N03S4L02ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 90A; 136W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ T2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 90A Power dissipation: 136W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPD90N03S4L02ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 90A; 136W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ T2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 90A Power dissipation: 136W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of channel: enhanced |
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