IPD80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPD80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPD80R4K5P7ATMA1 nach Preis ab 0.33 EUR bis 1.13 EUR
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IPD80R4K5P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
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IPD80R4K5P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
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IPD80R4K5P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
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IPD80R4K5P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
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IPD80R4K5P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_NEW |
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IPD80R4K5P7ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 13W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IPD80R4K5P7ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 13W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IPD80R4K5P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
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IPD80R4K5P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
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IPD80R4K5P7ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 13W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1A Power dissipation: 13W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPD80R4K5P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 13W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V |
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IPD80R4K5P7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 13W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V |
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IPD80R4K5P7ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 13W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1A Power dissipation: 13W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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