IPD80R1K4CEATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPD80R1K4CEATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD80R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.9 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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Verfügbarkeit |
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IPD80R1K4CEATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD80R1K4CEATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 800V 3.9A DPAK-2 |
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IPD80R1K4CEATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V |
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IPD80R1K4CEATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD80R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.9 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IPD80R1K4CEATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD80R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.9 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IPD80R1K4CEATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD80R1K4CEATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| IPD80R1K4CEATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPD80R1K4CEATMA1 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPD80R1K4CEATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V |
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