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IPD70P04P4L08ATMA1

IPD70P04P4L08ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPD70P04P4L_08-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78225bd32dbf Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:

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Technische Details IPD70P04P4L08ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD70P04P4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS P2, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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IPD70P04P4L08ATMA1 IPD70P04P4L08ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD70P04P4L_08-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78225bd32dbf Description: MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IPD70P04P4L08ATMA1 IPD70P04P4L08ATMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-IPD70P04P4L_08-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78225bd32dbf Description: INFINEON - IPD70P04P4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPD70P04P4L08ATMA1 IPD70P04P4L08ATMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-IPD70P04P4L_08-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78225bd32dbf Description: INFINEON - IPD70P04P4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPD70P04P4L08ATMA1 IPD70P04P4L08ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipd70p04p4l-08-datasheet-v01_21-en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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