IPD60R280PFD7SAUMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 656 pF @ 400 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 8+ | 2.43 EUR |
| 10+ | 1.99 EUR |
| 100+ | 1.54 EUR |
| 500+ | 1.31 EUR |
| 1000+ | 1.07 EUR |
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Technische Details IPD60R280PFD7SAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD60R280PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 51W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 51W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.233ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPD60R280PFD7SAUMA1 nach Preis ab 1.19 EUR bis 2.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IPD60R280PFD7SAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
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IPD60R280PFD7SAUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R280PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 51W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 2261 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD60R280PFD7SAUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R280PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 51W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 51W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.233ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 2261 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD60R280PFD7SAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IPD60R280PFD7SAUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 7A; Idm: 31A Technology: CoolMOS™ PFD7 Mounting: SMD Power dissipation: 51W Features of semiconductor devices: ESD protected gate Case: TO252 Polarisation: unipolar Drain current: 7A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 549mΩ Pulsed drain current: 31A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPD60R280PFD7SAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 51W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 656 pF @ 400 V |
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| IPD60R280PFD7SAUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 7A; Idm: 31A Technology: CoolMOS™ PFD7 Mounting: SMD Power dissipation: 51W Features of semiconductor devices: ESD protected gate Case: TO252 Polarisation: unipolar Drain current: 7A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 549mΩ Pulsed drain current: 31A |
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