Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50R3K0CEAUMA1
IPD50R3K0CEAUMA1

IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies

1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.25 EUR
5000+ 0.23 EUR
12500+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V, Power Dissipation (Max): 26W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V.

Weitere Produktangebote IPD50R3K0CEAUMA1 nach Preis ab 0.18 EUR bis 0.95 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.25 EUR
5000+ 0.23 EUR
12500+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies IPx50R3K0CE_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339dcf4b10139e7e9ff592ce4 Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.29 EUR
5000+ 0.28 EUR
12500+ 0.26 EUR
25000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
231+0.66 EUR
325+ 0.45 EUR
329+ 0.43 EUR
500+ 0.33 EUR
1000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 231
IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
195+0.78 EUR
229+ 0.64 EUR
231+ 0.61 EUR
325+ 0.42 EUR
329+ 0.4 EUR
500+ 0.3 EUR
1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 195
IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies IPx50R3K0CE_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339dcf4b10139e7e9ff592ce4 Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
auf Bestellung 28024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
21+0.86 EUR
24+ 0.74 EUR
100+ 0.51 EUR
500+ 0.4 EUR
1000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 21
IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPD50R3K0CE_DS_v02_03_EN-1731807.pdf MOSFET CONSUMER
auf Bestellung 4988 Stücke:
Lieferzeit 238-242 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+0.95 EUR
10+ 0.82 EUR
100+ 0.61 EUR
500+ 0.48 EUR
1000+ 0.37 EUR
2500+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)