![IPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/2c7e3f8016dbc7afcb4d631d6a10479f2660a119/pg-to252-3-11_lowres.jpg_4721497711.jpg)
IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies
![infineon-ipd35n10s3l-26-datasheet-v01_02-en.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Trans MOSFET N-CH 100V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
68+ | 2.26 EUR |
75+ | 1.97 EUR |
100+ | 1.56 EUR |
200+ | 1.4 EUR |
1000+ | 1.19 EUR |
2000+ | 1.06 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD35N10S3L26ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: 0, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: 0, Rds(on)-Prüfspannung: 0, Betriebstemperatur, max.: 0, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPD35N10S3L26ATMA1 nach Preis ab 1.04 EUR bis 2.64 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPD35N10S3L26ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 7659 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD35N10S3L26ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: 0 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: 0 Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 15356 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
IPD35N10S3L26ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
IPD35N10S3L26ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 25A; Idm: 140A Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS® -T Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 25A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 71W Case: PG-TO252-3-11 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
![]() |
IPD35N10S3L26ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
IPD35N10S3L26ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
IPD35N10S3L26ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 25A; Idm: 140A Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS® -T Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 25A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 71W Case: PG-TO252-3-11 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |