IPD33CN10NGATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 2500+ | 0.61 EUR |
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Technische Details IPD33CN10NGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD33CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27 A, 0.025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 58W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPD33CN10NGATMA1 nach Preis ab 0.61 EUR bis 2.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IPD33CN10NGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD33CN10NGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V |
auf Bestellung 33876 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD33CN10NGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
auf Bestellung 3608 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD33CN10NGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD33CN10NGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD33CN10NGATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD33CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27 A, 0.025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 58W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 715 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD33CN10NGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 27A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD33CN10NGATMA1 Produktcode: 195321 |
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 |
Produkt ist nicht verfügbar
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IPD33CN10NGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IPD33CN10NGATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 108A; 58W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 20A Pulsed drain current: 108A Power dissipation: 58W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IPD33CN10NGATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 108A; 58W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 20A Pulsed drain current: 108A Power dissipation: 58W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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