![IPD200N15N3GATMA1 IPD200N15N3GATMA1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/ba55a1e6a3e7f00c9edd6bc76de47a11ef24faa5/infineon-package-dpak-to252.jpg)
IPD200N15N3GATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPD200N15N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD200N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm.
Weitere Produktangebote IPD200N15N3GATMA1 nach Preis ab 1.46 EUR bis 4.62 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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IPD200N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPD200N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V |
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IPD200N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V |
auf Bestellung 46193 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD200N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPD200N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPD200N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1535 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD200N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD200N15N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm |
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IPD200N15N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm |
auf Bestellung 23381 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD200N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD200N15N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; Idm: 200A; 150W Power dissipation: 150W Case: PG-TO252-3 Mounting: SMD Drain-source voltage: 150V Drain current: 40A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 200A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPD200N15N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; Idm: 200A; 150W Power dissipation: 150W Case: PG-TO252-3 Mounting: SMD Drain-source voltage: 150V Drain current: 40A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 200A |
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