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Technische Details IPD18DP10LMATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD18DP10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.9 A, 0.1403 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1403ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1403ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPD18DP10LMATMA1 nach Preis ab 0.93 EUR bis 2.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IPD18DP10LMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 13.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V |
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IPD18DP10LMATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD18DP10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.9 A, 0.1403 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1403ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IPD18DP10LMATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD18DP10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.9 A, 0.1403 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1403ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1403ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| IPD18DP10LMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005343850 |
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IPD18DP10LMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 13.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V |
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