IPD12CN10NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Power dissipation: 125W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 12.4mΩ
Drain current: 67A
Drain-source voltage: 100V
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2153 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 40+ | 1.79 EUR |
| 44+ | 1.63 EUR |
| 57+ | 1.26 EUR |
| 61+ | 1.19 EUR |
| 500+ | 1.16 EUR |
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Technische Details IPD12CN10NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IPD12CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 0.0093 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 67A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPD12CN10NGATMA1 nach Preis ab 1.16 EUR bis 3.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IPD12CN10NGATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3 Power dissipation: 125W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 12.4mΩ Drain current: 67A Drain-source voltage: 100V Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhanced Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Polarisation: unipolar |
auf Bestellung 2153 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD12CN10NGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 67A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 50 V |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD12CN10NGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
auf Bestellung 1328 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD12CN10NGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 67A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 50 V |
auf Bestellung 7178 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD12CN10NGATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD12CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 0.0093 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 4308 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD12CN10NGATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD12CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 0.0093 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 4308 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD12CN10NGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 67A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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