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IPC100N04S51R7ATMA1

IPC100N04S51R7ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPC100N04S5-1R7-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2835252f3 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
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Technische Details IPC100N04S51R7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPC100N04S51R7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPC100N04S5_1R7_DS_v01_03_EN-1731696.pdf MOSFETs N
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IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPC100N04S5-1R7-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2835252f3 Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
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IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0003614972-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPC100N04S51R7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TDSON
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Produktpalette: OptiMOS 5
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0003614972-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPC100N04S51R7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 1424309795392940infineon-ipc100n04s5-1r7-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46253f6505701.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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