IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon Technologies
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1000+ | 2.12 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB90N06S4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote IPB90N06S4L04ATMA2 nach Preis ab 1.61 EUR bis 4.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPB90N06S4L04ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB90N06S4L04ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB90N06S4L04ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB90N06S4L04ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 267 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB90N06S4L04ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2 |
auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB90N06S4L04ATMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB90N06S4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm |
auf Bestellung 1747 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
IPB90N06S4L04ATMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB90N06S4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 1917 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| IPB90N06S4L04ATMA2 | Hersteller : Infineon |
|
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
 |
IPB90N06S4L04ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
IPB90N06S4L04ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |