IPB65R110CFDAATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1000+ | 5.72 EUR |
| 2000+ | 5.18 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPB65R110CFDAATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB65R110CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 277.8mW, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFDA, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IPB65R110CFDAATMA1 nach Preis ab 5.61 EUR bis 15.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPB65R110CFDAATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB65R110CFDAATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB65R110CFDAATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1840 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB65R110CFDAATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2 |
auf Bestellung 1960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB65R110CFDAATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 991 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB65R110CFDAATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB65R110CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 277.8mW Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFDA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
IPB65R110CFDAATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB65R110CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 277.8mW Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFDA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
IPB65R110CFDAATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
IPB65R110CFDAATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
IPB65R110CFDAATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |