IPB60R299CPATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPB60R299CPATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO263-3, Mounting: SMD, Case: PG-TO263-3, Power dissipation: 96W, Technology: CoolMOS™ CP, Drain current: 11A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 600V, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 0.299Ω, Gate-source voltage: ±20V, Polarisation: unipolar, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IPB60R299CPATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO263-3 Mounting: SMD Case: PG-TO263-3 Power dissipation: 96W Technology: CoolMOS™ CP Drain current: 11A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.299Ω Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPB60R299CPATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3 |
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IPB60R299CPATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3 |
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IPB60R299CPATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3 |
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IPB60R299CPATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO263-3 Mounting: SMD Case: PG-TO263-3 Power dissipation: 96W Technology: CoolMOS™ CP Drain current: 11A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.299Ω Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar |
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