IPB60R180C7ATMA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1000+ | 2.56 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPB60R180C7ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm.
Weitere Produktangebote IPB60R180C7ATMA1 nach Preis ab 1.8 EUR bis 5.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB60R180C7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 MOSFET HIGH POWER_NEW |
auf Bestellung 4046 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB60R180C7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB60R180C7ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm |
auf Bestellung 1765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
IPB60R180C7ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm |
auf Bestellung 1765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| IPB60R180C7ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPB60R180C7 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
|
IPB60R180C7ATMA1 Produktcode: 152307 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||||
 |
IPB60R180C7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
IPB60R180C7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
IPB60R180C7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
IPB60R180C7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V |
Produkt ist nicht verfügbar |