IPB330P10NMATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPB330P10NMATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB330P10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0268 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0268ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0268ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPB330P10NMATMA1 nach Preis ab 2.21 EUR bis 8.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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IPB330P10NMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB330P10NMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB330P10NMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB330P10NMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 5044 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB330P10NMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB330P10NMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
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IPB330P10NMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB330P10NMATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB330P10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0268 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0268ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IPB330P10NMATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB330P10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0268 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0268ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0268ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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| IPB330P10NMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005343858 |
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IPB330P10NMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB330P10NMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V |
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